Справочник MOSFET. AOWF9N70

 

AOWF9N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOWF9N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-262F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF9N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  aosemi
 aowf9n70.pdf pdf_icon

AOWF9N70

AOWF9N70700V,9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOWF9N70 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 9Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CSN03N3P9 | DAC040N120Z5 | D110N04 | 2341 | 2302P

 

 
Back to Top

 


 
.