Справочник MOSFET. AOWF9N70

 

AOWF9N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOWF9N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-262F
 

 Аналог (замена) для AOWF9N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF9N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  aosemi
 aowf9n70.pdf pdf_icon

AOWF9N70

AOWF9N70700V,9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOWF9N70 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 9Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , IRF9540N , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR .

History: STS4DNF30L

 

 
Back to Top

 


 
.