AOWF9N70 - описание и поиск аналогов

 

AOWF9N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOWF9N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-262F

Аналог (замена) для AOWF9N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF9N70 даташит

 ..1. Size:296K  aosemi
 aowf9n70.pdf pdf_icon

AOWF9N70

AOWF9N70 700V,9A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 800V@150 The AOWF9N70 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 9A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , SKD502T , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.