AOY526 Todos los transistores

 

AOY526 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOY526
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251B
 

 Búsqueda de reemplazo de AOY526 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOY526 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  aosemi
 aoy526.pdf pdf_icon

AOY526

AOY52630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:383K  aosemi
 aoy528.pdf pdf_icon

AOY526

AOY52830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , 4435 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK .

History: HAT2201WP | SFP055N100C2

 

 
Back to Top

 


 
.