AOY526 Todos los transistores

 

AOY526 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOY526

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO-251B

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AOY526 datasheet

 ..1. Size:405K  aosemi
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AOY526

AOY526 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:383K  aosemi
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AOY526

AOY528 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , 5N65 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK .

History: AOWF14N50 | SW4N70B

 

 

 

 

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