Справочник MOSFET. AOY526

 

AOY526 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOY526
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-251B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOY526 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  aosemi
 aoy526.pdf pdf_icon

AOY526

AOY52630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:383K  aosemi
 aoy528.pdf pdf_icon

AOY526

AOY52830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , 4N60 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.