AOY526. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOY526
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-251B
Аналог (замена) для AOY526
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOY526 даташит
aoy526.pdf
AOY526 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aoy528.pdf
AOY528 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , 5N65 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK .
History: SUD50N024-09P | RUF020N02 | SWD80N04V | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD4N50K | HM4354
History: SUD50N024-09P | RUF020N02 | SWD80N04V | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD4N50K | HM4354
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor


