2SK1070 Todos los transistores

 

2SK1070 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1070
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPAK
 

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2SK1070 PDF Specs

 ..1. Size:84K  renesas
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2SK1070

Preliminary Datasheet R07DS0282EJ0300 2SK1070 (Previous REJ03G0574-0200) Rev.3.00 Silicon N-Channel Junction FET Mar 28, 2011 Application Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 1 1. Drain 2. Source 2 3. Gate Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage ... See More ⇒

 8.1. Size:69K  toshiba
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2SK1070

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 ... See More ⇒

 8.2. Size:371K  toshiba
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2SK1070

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com ... See More ⇒

 8.3. Size:62K  inchange semiconductor
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2SK1070

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1074 DESCRIPTION Drain Current ID=3A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 800 V DSS GS V Gate-Source Volta... See More ⇒

Otros transistores... 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK , 2SK2651-01MR , 2SK2638-01MR , 2SK1916-01R , 2SK1772 , 4N60 , 2SJ450 , APT1001RBLC , APT1001RBVFR , APT1001RSLC , APT10021JFLL , APT10021JLL , APT10025JLC , APT10026JFLL .

 

 
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