Справочник MOSFET. 2SK1070

 

2SK1070 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK1070
   Маркировка: PIB_PIC_PID_PIE
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 22 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 80 Ohm
   Тип корпуса: MPAK

 Аналог (замена) для 2SK1070

 

 

2SK1070 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  renesas
 2sk1070.pdf

2SK1070 2SK1070

Preliminary Datasheet R07DS0282EJ03002SK1070 (Previous: REJ03G0574-0200)Rev.3.00Silicon N-Channel Junction FET Mar 28, 2011Application Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)311. Drain2. Source23. GateAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage

 8.1. Size:69K  toshiba
 2sk1079.pdf

2SK1070 2SK1070

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 8.2. Size:371K  toshiba
 2sk1078.pdf

2SK1070 2SK1070

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 8.3. Size:62K  inchange semiconductor
 2sk1074.pdf

2SK1070 2SK1070

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1074 DESCRIPTION Drain Current ID=3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 800 V DSS GSV Gate-Source Volta

 8.4. Size:201K  inchange semiconductor
 2sk1073.pdf

2SK1070 2SK1070

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1073DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 8

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top