APT1201R5SVFR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT1201R5SVFR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D3PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT1201R5SVFR

APT1201R5SVFR Datasheet (PDF)

0.1. Size:144K apt
apt1201r5bvfrg apt1201r5svfrg.pdf

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5.1. Size:137K apt
apt1201r5bvfr.pdf

5.2. Size:63K apt
apt1201r5bvr.pdf

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