APT1201R5SVFR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT1201R5SVFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: D3PAK
Аналог (замена) для APT1201R5SVFR
APT1201R5SVFR Datasheet (PDF)
apt1201r5bvfrg apt1201r5svfrg.pdf

APT1201R5BVFRAPT1201R5SVFR1200V 10A 1.500POWER MOS VTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switchi
apt1201r5bvfr.pdf

APT1201R5BVFRAPT1201R5SVFR1200V 10A 1.500POWER MOS VTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switchi
apt1201r5bvr.pdf

APT1201R5BVR1200V 10A 1.500POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe
Другие MOSFET... APT10M30AVR , APT11N80BC3 , APT11N80KC3 , APT1201R2BLL , APT1201R2SLL , APT1201R4BLL , APT1201R4SLL , APT1201R5BVFR , IRF3710 , APT1201R6BVFR , APT12031JLL , APT12040JLL , APT12040JVFR , APT12040L2LL , APT12045L2VFR , APT12045L2VR , APT12057B2LL .
History: IRF7807VD2PBF | FQPF6N90CT | HM16N60F | STF13N60M2 | OSG70R360DF
History: IRF7807VD2PBF | FQPF6N90CT | HM16N60F | STF13N60M2 | OSG70R360DF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet