APT50M60L2VR Todos los transistores

 

APT50M60L2VR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT50M60L2VR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 825 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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APT50M60L2VR datasheet

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APT50M60L2VR

APT50M60L2VFR 500V 77A 0.060W POWER MOS V FREDFET TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package Faster Switching D

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APT50M60L2VR

APT50M60L2VFR 500V 77A 0.060 POWER MOS V FREDFET TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D TO-264 MAX Packa

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History: BUZ44A | NCE40P05Y

 

 
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