APT50M60L2VR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT50M60L2VR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 825 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для APT50M60L2VR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT50M60L2VR даташит

 ..1. Size:33K  apt
 apt50m60l2vr.pdf pdf_icon

APT50M60L2VR

 0.1. Size:167K  apt
 apt50m60l2vrg.pdf pdf_icon

APT50M60L2VR

 3.1. Size:79K  apt
 apt50m60l2vfr.pdf pdf_icon

APT50M60L2VR

APT50M60L2VFR 500V 77A 0.060W POWER MOS V FREDFET TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package Faster Switching D

 3.2. Size:158K  apt
 apt50m60l2vfrg.pdf pdf_icon

APT50M60L2VR

APT50M60L2VFR 500V 77A 0.060 POWER MOS V FREDFET TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D TO-264 MAX Packa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT5024BFLL, APT5024SVR, APT5027BVR, APT50M50JFLL, APT50M50JLC, APT50M50L2FLL, APT50M50L2LL, APT50M60L2VFR, IRFB7545, APT50M65B2FLL, APT50M65B2LL, APT50M65JFLL, APT50M65JLL, APT50M75B2FLL, APT50M75B2LL, APT50M75JFLL, APT50M75JLL