APT5560AN Todos los transistores

 

APT5560AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT5560AN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 198 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 550 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 66 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT5560AN

 

APT5560AN Datasheet (PDF)

1.1. apt5560an.pdf Size:381K _apt

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5.1. apt5570an apt6060an apt6070an.pdf Size:382K _update_mosfet

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