APT5560AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT5560AN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 198 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 550 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 11.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 66 nC
Tiempo de elevación (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT5560AN
APT5560AN Datasheet (PDF)
1.1. apt5560an.pdf 
Size:381K _apt
5.1. apt5570an apt6060an apt6070an.pdf Size:382K _update_mosfet
Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .
