APT5560AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT5560AN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
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APT5560AN Datasheet (PDF)
Otros transistores... APT50M75JLL , APT50M75JLLU2 , APT50M80B2LC , APT50M80B2VFR , APT50M80B2VR , APT50M80JLC , APT50M85B2VFR , APT50M85B2VR , 20N60 , APT6010B2LL , APT6010JFLL , APT6010JLL , APT6011B2VFR , APT6011B2VR , APT6011LVFR , APT6011LVR , APT6013B2FLL .
History: MMDF3N02HDR2 | FMR21N50ES | PT4435 | NCEP40T35ALL
History: MMDF3N02HDR2 | FMR21N50ES | PT4435 | NCEP40T35ALL



Liste
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