APT5560AN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5560AN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для APT5560AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5560AN даташит

 ..1. Size:381K  apt
 apt5560an.pdf pdf_icon

APT5560AN

 9.1. Size:382K  apt
 apt5570an apt6060an apt6070an.pdf pdf_icon

APT5560AN

Другие IGBT... APT50M75JLL, APT50M75JLLU2, APT50M80B2LC, APT50M80B2VFR, APT50M80B2VR, APT50M80JLC, APT50M85B2VFR, APT50M85B2VR, 20N60, APT6010B2LL, APT6010JFLL, APT6010JLL, APT6011B2VFR, APT6011B2VR, APT6011LVFR, APT6011LVR, APT6013B2FLL