STT600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT600
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: SOT223
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STT600 datasheet
stt600.pdf
Green Product STT600 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 3.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 600 @ VGS=10V Surface Mount Package. 1.4A 90V 708 @ VGS=4.5V D D G G D S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
Otros transistores... STU2455PLS , STU2240NL , STU20N15 , STU20L01A , STU20L01 , STU2030PLS , STU1955NL , STU1855PL , IRFB4227 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 .
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