STT600 Todos los transistores

 

STT600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT600
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de STT600 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STT600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  samhop
 stt600.pdf pdf_icon

STT600

GreenProductSTT600aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.600 @ VGS=10VSurface Mount Package.1.4A90V708 @ VGS=4.5V D DG GDSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

Otros transistores... STU2455PLS , STU2240NL , STU20N15 , STU20L01A , STU20L01 , STU2030PLS , STU1955NL , STU1855PL , IRF3710 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 .

History: SM2201NSQG | STF26N65DM2 | SWD040R03VLT

 

 
Back to Top

 


 
.