STT600 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STT600
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для STT600
STT600 Datasheet (PDF)
stt600.pdf

GreenProductSTT600aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.600 @ VGS=10VSurface Mount Package.1.4A90V708 @ VGS=4.5V D DG GDSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
Другие MOSFET... STU2455PLS , STU2240NL , STU20N15 , STU20L01A , STU20L01 , STU2030PLS , STU1955NL , STU1855PL , AON6414A , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 .
History: NTMFS5C410NLT | HGP095NE4SL | HM2N25 | RU8590R | WPM2083 | 2N65G-T6C-K
History: NTMFS5C410NLT | HGP095NE4SL | HM2N25 | RU8590R | WPM2083 | 2N65G-T6C-K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381