Справочник MOSFET. STT600

 

STT600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT600
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT600

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  samhop
 stt600.pdf pdf_icon

STT600

GreenProductSTT600aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.600 @ VGS=10VSurface Mount Package.1.4A90V708 @ VGS=4.5V D DG GDSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

Другие MOSFET... STU2455PLS , STU2240NL , STU20N15 , STU20L01A , STU20L01 , STU2030PLS , STU1955NL , STU1855PL , AON6414A , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 .

History: AT7N65S | PPM523T201E0 | FDD6N50TM

 

 
Back to Top

 


 
.