STT600. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT600

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STT600

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT600 даташит

 ..1. Size:132K  samhop
 stt600.pdf pdf_icon

STT600

Green Product STT600 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 3.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 600 @ VGS=10V Surface Mount Package. 1.4A 90V 708 @ VGS=4.5V D D G G D S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

Другие IGBT... STU2455PLS, STU2240NL, STU20N15, STU20L01A, STU20L01, STU2030PLS, STU1955NL, STU1855PL, IRFB4227, STT468A, STT4660, STT432S, STT3418, STT3414, STT10L01, STT100, STT08L01