STT100 Todos los transistores

 

STT100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.819 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de STT100 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STT100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  samhop
 stt100.pdf pdf_icon

STT100

GreenProductSTT100aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.819 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A956 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 9.1. Size:188K  samhop
 stt10l01.pdf pdf_icon

STT100

GreenProductSTT10L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VSurface Mount Package.3A100V225 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)

Otros transistores... STU1855PL , STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , 8205A , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 .

History: AOB290L | 4N100L-TF2-T | WMK071N15HG2 | STT3418 | WMK060N08HG2 | IRFF9231 | 4N100L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.