STT100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 13 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.819 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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STT100 Datasheet (PDF)

..1. Size:133K samhop
stt100.pdf

GreenProductSTT100aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.819 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A956 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

9.1. Size:188K samhop
stt10l01.pdf

GreenProductSTT10L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VSurface Mount Package.3A100V225 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: