STT100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STT100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.819 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для STT100
STT100 Datasheet (PDF)
stt100.pdf

GreenProductSTT100aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.819 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A956 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
stt10l01.pdf

GreenProductSTT10L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VSurface Mount Package.3A100V225 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)
Другие MOSFET... STU1855PL , STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , 2SK3878 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 .
History: TPC60R150C | TN2404K
History: TPC60R150C | TN2404K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568