STT08L01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT08L01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
Encapsulados: SOT223
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STT08L01 datasheet
stt08l01.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STT08L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 225 @ VGS=10V Surface Mount Package. 2.5A 100V 360 @ VGS=4.5V D G G G S S STT SERIES S SOT - 223 (TA=25 C unless o
Otros transistores... STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , 7N65 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 .
History: AGM665E | MTP12N10L | GM8205
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