STT08L01 Todos los transistores

 

STT08L01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT08L01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de STT08L01 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STT08L01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  samhop
 stt08l01.pdf pdf_icon

STT08L01

GrerrPPrPrProSTT08L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.225 @ VGS=10VSurface Mount Package.2.5A100V360 @ VGS=4.5VDGGGSSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless o

Otros transistores... STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STP75NF75 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 .

History: SM3303PSQG | VS150N08BT | AFP9565S | SWD7N60K2F | KMB035N40DC

 

 
Back to Top

 


 
.