Справочник MOSFET. STT08L01

 

STT08L01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT08L01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STT08L01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  samhop
 stt08l01.pdf pdf_icon

STT08L01

GrerrPPrPrProSTT08L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.225 @ VGS=10VSurface Mount Package.2.5A100V360 @ VGS=4.5VDGGGSSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless o

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.