STT04N20 Todos los transistores

 

STT04N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT04N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STT04N20 Datasheet (PDF)

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STT04N20

GreenProductSTT04N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.8 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 1A2.0 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

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History: 2SK1153 | TK40F08K3 | HY75N075T

 

 
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