Справочник MOSFET. STT04N20

 

STT04N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT04N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT04N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT04N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  samhop
 stt04n20.pdf pdf_icon

STT04N20

GreenProductSTT04N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.8 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 1A2.0 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Другие MOSFET... STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , 7N65 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 , STS8207 , STS8205 .

 

 
Back to Top

 


 
.