STS8212 Todos los transistores

 

STS8212 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS8212

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: TSOT26

 Búsqueda de reemplazo de STS8212 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STS8212 datasheet

 ..1. Size:105K  samhop
 sts8212.pdf pdf_icon

STS8212

Gre r r P Pr Pr Pro STS8212 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 14.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 15 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 8A 15.5 @ VGS=3.7V 18 @ VGS=3.1V 22 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT

 8.1. Size:179K  samhop
 sts8216.pdf pdf_icon

STS8212

Green Product STS8216 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 20 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 20V 6A 27 @ VGS=2.5V ESD Protected. D1 D2 SOT 26 Top View S1 G1 6 1 G 1 G 2 D1/D2 2 5 D1/D2 3

 8.2. Size:105K  samhop
 sts8217.pdf pdf_icon

STS8212

Gre r r P Pr Pr Pro STS8217 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 16.5 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 17 @ VGS=3.7V 24V 7A ESD Protected. 18 @ VGS=3.1V 27 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 Top View S1

 8.3. Size:106K  samhop
 sts8215.pdf pdf_icon

STS8212

Gre r r P Pr Pr Pro STS8215 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 24.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 25.5 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V 30.5 @ VGS=3.1V 36.5 @ VGS=2.5V D1 D

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , IRF9540N , STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 .

History: GKI06185 | MEM2301X | SIA465EDJ | FDMS2502SDC | R6020KNZ1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.