STS8212 Todos los transistores

 

STS8212 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS8212
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOT26
 

 Búsqueda de reemplazo de STS8212 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STS8212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  samhop
 sts8212.pdf pdf_icon

STS8212

GrerrPPrPrProSTS8212aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 8A 15.5 @ VGS=3.7V18 @ VGS=3.1V22 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT

 8.1. Size:179K  samhop
 sts8216.pdf pdf_icon

STS8212

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23

 8.2. Size:105K  samhop
 sts8217.pdf pdf_icon

STS8212

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

 8.3. Size:106K  samhop
 sts8215.pdf pdf_icon

STS8212

GrerrPPrPrProSTS8215aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.24.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.25.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V30.5 @ VGS=3.1V36.5 @ VGS=2.5VD1 D

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , IRF1010E , STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 .

History: 2SK2084STL-E | LNC06R062 | SLH60R080SS | AP4511GM | IRFY340CM | APQ5ESN40A | TSF840MR

 

 
Back to Top

 


 
.