Справочник MOSFET. STS8212

 

STS8212 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS8212
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26

 Аналог (замена) для STS8212

 

 

STS8212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  samhop
 sts8212.pdf

STS8212 STS8212

GrerrPPrPrProSTS8212aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 8A 15.5 @ VGS=3.7V18 @ VGS=3.1V22 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT

 8.1. Size:179K  samhop
 sts8216.pdf

STS8212 STS8212

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23

 8.2. Size:105K  samhop
 sts8217.pdf

STS8212 STS8212

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

 8.3. Size:106K  samhop
 sts8215.pdf

STS8212 STS8212

GrerrPPrPrProSTS8215aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.24.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.25.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V30.5 @ VGS=3.1V36.5 @ VGS=2.5VD1 D

 8.4. Size:111K  samhop
 sts8213.pdf

STS8212 STS8212

GreenProductSTS8213aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.0 @ VGS=4.0V Suface Mount Package.16.5 @ VGS=3.7V 20V 7AESD Protected.18.0 @ VGS=3.1V 22.0 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top ViewS1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top