STS8212 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS8212  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: TSOT26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS8212

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8212 даташит

 ..1. Size:105K  samhop
 sts8212.pdf pdf_icon

STS8212

Gre r r P Pr Pr Pro STS8212 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 14.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 15 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 8A 15.5 @ VGS=3.7V 18 @ VGS=3.1V 22 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT

 8.1. Size:179K  samhop
 sts8216.pdf pdf_icon

STS8212

Green Product STS8216 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 20 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 20V 6A 27 @ VGS=2.5V ESD Protected. D1 D2 SOT 26 Top View S1 G1 6 1 G 1 G 2 D1/D2 2 5 D1/D2 3

 8.2. Size:105K  samhop
 sts8217.pdf pdf_icon

STS8212

Gre r r P Pr Pr Pro STS8217 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 16.5 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 17 @ VGS=3.7V 24V 7A ESD Protected. 18 @ VGS=3.1V 27 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 Top View S1

 8.3. Size:106K  samhop
 sts8215.pdf pdf_icon

STS8212

Gre r r P Pr Pr Pro STS8215 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 24.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 25.5 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V 30.5 @ VGS=3.1V 36.5 @ VGS=2.5V D1 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STT08L01, STT06L01, STT04N20, STS8235, STS8217, STS8216, STS8215, STS8213, IRF1010E, STS8207, STS8205, STS8202, STS8201, STS3420, STS3419, STS3417, STS3415