STS8212 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS8212
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
Тип корпуса: TSOT26
Аналог (замена) для STS8212
STS8212 Datasheet (PDF)
sts8212.pdf

GrerrPPrPrProSTS8212aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 8A 15.5 @ VGS=3.7V18 @ VGS=3.1V22 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT
sts8216.pdf

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23
sts8217.pdf

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1
sts8215.pdf

GrerrPPrPrProSTS8215aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.24.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.25.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V30.5 @ VGS=3.1V36.5 @ VGS=2.5VD1 D
Другие MOSFET... STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , IRF1010E , STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 .
History: ME4457-G | SI2333DS | 4AK17
History: ME4457-G | SI2333DS | 4AK17



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141