STS8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
- Selección de transistores por parámetros
STS8205 Datasheet (PDF)
sts8205.pdf

GrerrPPrPrProSTS8205aS mHop Microelectronics C orp.Ver 4.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5A 30.0 @ VGS=3.7V33.0 @ VGS=3.1V38.0 @ VGS=2.5VD1 D2
sts8202.pdf

GreenProductSTS8202aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28 @ VGS=4.0V ESD Protected.20V 5A 30 @ VGS=3.7V 33 @ VGS=3.1V 38 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top Vi
sts8207.pdf

GrerrPPrPrProSTS8207aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.34 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.36 @ VGS=3.7V20V 4.5AESD Protected.40 @ VGS=3.1V49 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1
sts8201.pdf

GrerrPPrPrProSTS8201aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.21.0 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 6A 21.5 @ VGS=3.7V24.5 @ VGS=3.1V29.5 @ VGS=2.5VD1 D2
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WM02N08L | CP650



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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