Справочник MOSFET. STS8205

 

STS8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.6 nC
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 155 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для STS8205

 

 

STS8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  samhop
 sts8205.pdf

STS8205 STS8205

GrerrPPrPrProSTS8205aS mHop Microelectronics C orp.Ver 4.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5A 30.0 @ VGS=3.7V33.0 @ VGS=3.1V38.0 @ VGS=2.5VD1 D2

 8.1. Size:113K  samhop
 sts8202.pdf

STS8205 STS8205

GreenProductSTS8202aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28 @ VGS=4.0V ESD Protected.20V 5A 30 @ VGS=3.7V 33 @ VGS=3.1V 38 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top Vi

 8.2. Size:105K  samhop
 sts8207.pdf

STS8205 STS8205

GrerrPPrPrProSTS8207aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.34 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.36 @ VGS=3.7V20V 4.5AESD Protected.40 @ VGS=3.1V49 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

 8.3. Size:106K  samhop
 sts8201.pdf

STS8205 STS8205

GrerrPPrPrProSTS8201aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.21.0 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 6A 21.5 @ VGS=3.7V24.5 @ VGS=3.1V29.5 @ VGS=2.5VD1 D2

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top