STS8201 Todos los transistores

 

STS8201 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS8201

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT26

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STS8201 datasheet

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STS8201

Gre r r P Pr Pr Pro STS8201 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 20.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 21.0 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 6A 21.5 @ VGS=3.7V 24.5 @ VGS=3.1V 29.5 @ VGS=2.5V D1 D2

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STS8201

Green Product STS8202 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 27 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 28 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 5A 30 @ VGS=3.7V 33 @ VGS=3.1V 38 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 Top Vi

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STS8201

Gre r r P Pr Pr Pro STS8205 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 4.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 27.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 28.5 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 5A 30.0 @ VGS=3.7V 33.0 @ VGS=3.1V 38.0 @ VGS=2.5V D1 D2

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STS8201

Gre r r P Pr Pr Pro STS8207 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 34 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 36 @ VGS=3.7V 20V 4.5A ESD Protected. 40 @ VGS=3.1V 49 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 Top View S1

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History: 2SK1939 | CM15N50 | NTMD4840N | AGM402A | NTLJS3113P | SMK730F | TPM5121NEC6

 

 

 

 

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