STM8501 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STM8501
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM8501

STM8501 Datasheet (PDF)

..1. Size:828K samhop
stm8501.pdf

S T M8501S amHop Microelectronics C orp. J an.10 2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max50 @ V G S = 10V 80 @ V G S = -10V-55V - 3.5A55V 5A70 @ V G S = 4.5V 100 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3

8.1. Size:208K samhop
stm8500a.pdf

STM8500AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Typ RDS(ON) (m) TypVDSS ID VDSS ID46 @ VGS=10V 85 @ VGS=-10V55V 4.6A -55V -3.5A56 @ VGS=4.5V 105 @ VGS=-4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-81 2 3 41S 1 G 1 S 2 G 2(TA=25C unless otherwis

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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