STM8501 - описание и поиск аналогов

 

STM8501. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STM8501

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STM8501

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM8501 даташит

 ..1. Size:828K  samhop
stm8501.pdfpdf_icon

STM8501

S T M8501 S amHop Microelectronics C orp. J an.10 2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P P R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel) V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max 50 @ V G S = 10V 80 @ V G S = -10V -55V - 3.5A 55V 5A 70 @ V G S = 4.5V 100 @ V G S = -4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3

 8.1. Size:208K  samhop
stm8500a.pdfpdf_icon

STM8501

STM8500A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Typ RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID VDSS ID 46 @ VGS=10V 85 @ VGS=-10V 55V 4.6A -55V -3.5A 56 @ VGS=4.5V 105 @ VGS=-4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 2 3 4 1 S 1 G 1 S 2 G 2 (TA=25 C unless otherwis

Другие MOSFET... STS8205 , STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 , STS3414 , 13N50 , STM8500A , STM8458 , STM8457 , STM8456 , STM6968 , STM6967 , STM6966 , STM6962 .

History: AP4501GH-HF | 2N65G-TN3-R | FTP10N60C | CM10N60AZ | 2N6796U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.