Справочник MOSFET. STM8501

 

STM8501 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STM8501
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 85 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для STM8501

 

 

STM8501 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  samhop
 stm8501.pdf

STM8501 STM8501

S T M8501S amHop Microelectronics C orp. J an.10 2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max50 @ V G S = 10V 80 @ V G S = -10V-55V - 3.5A55V 5A70 @ V G S = 4.5V 100 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3

 8.1. Size:208K  samhop
 stm8500a.pdf

STM8501 STM8501

STM8500AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Typ RDS(ON) (m) TypVDSS ID VDSS ID46 @ VGS=10V 85 @ VGS=-10V55V 4.6A -55V -3.5A56 @ VGS=4.5V 105 @ VGS=-4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-81 2 3 41S 1 G 1 S 2 G 2(TA=25C unless otherwis

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top