STC3116E Todos los transistores

 

STC3116E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STC3116E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm

Encapsulados: SOT323

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STC3116E datasheet

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STC3116E

Gre r r P Pr Pr Pro STC3116E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 94 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 2A 107 @ VGS=4.5V ESD Protected. 139 @ VGS=2.5V D SOT-323 G D S G S (TA=25 C unless other

Otros transistores... STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , IRFZ24N , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 .

History: DMP10H4D2S | STC2201

 

 

 

 

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