STC3116E Todos los transistores

 

STC3116E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STC3116E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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STC3116E Datasheet (PDF)

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STC3116E

GrerrPPrPrProSTC3116EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.94 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 2A 107 @ VGS=4.5VESD Protected.139 @ VGS=2.5VDSOT-323GDSGS(TA=25C unless other

Otros transistores... STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , AON6380 , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 .

History: IRF7483MTRPBF | WMM10N60C4 | KIA65R420

 

 
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