STC3116E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STC3116E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de STC3116E MOSFET
STC3116E Datasheet (PDF)
stc3116e.pdf

GrerrPPrPrProSTC3116EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.94 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 2A 107 @ VGS=4.5VESD Protected.139 @ VGS=2.5VDSOT-323GDSGS(TA=25C unless other
Otros transistores... STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , AON6380 , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 .
History: BL20N50-A | EMB12P03G | EMB20N03V
History: BL20N50-A | EMB12P03G | EMB20N03V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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