Справочник MOSFET. STC3116E

 

STC3116E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STC3116E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.8 nC
   Время нарастания (tr): 77 ns
   Выходная емкость (Cd): 56 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.094 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для STC3116E

 

 

STC3116E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  samhop
 stc3116e.pdf

STC3116E STC3116E

GrerrPPrPrProSTC3116EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.94 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 2A 107 @ VGS=4.5VESD Protected.139 @ VGS=2.5VDSOT-323GDSGS(TA=25C unless other

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top