STC3116E - описание и поиск аналогов

 

STC3116E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STC3116E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для STC3116E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC3116E даташит

 ..1. Size:91K  samhop
 stc3116e.pdf pdf_icon

STC3116E

Gre r r P Pr Pr Pro STC3116E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 94 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 2A 107 @ VGS=4.5V ESD Protected. 139 @ VGS=2.5V D SOT-323 G D S G S (TA=25 C unless other

Другие MOSFET... STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , IRFZ24N , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 .

History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.