Справочник MOSFET. STC3116E

 

STC3116E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STC3116E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STC3116E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  samhop
 stc3116e.pdf pdf_icon

STC3116E

GrerrPPrPrProSTC3116EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.94 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 2A 107 @ VGS=4.5VESD Protected.139 @ VGS=2.5VDSOT-323GDSGS(TA=25C unless other

Другие MOSFET... STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , MMIS60R580P , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.