STB8444 Todos los transistores

 

STB8444 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB8444
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 162 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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STB8444 Datasheet (PDF)

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STB8444

STB/P8444aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.40V 80A 4.8 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , AO3401 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 .

History: IRFAE50 | SIS862DN | RU5H18Q | FDB86563F085 | IRFR2407 | JSM3622

 

 
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