STB8444 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB8444
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 162 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de STB8444 MOSFET
STB8444 Datasheet (PDF)
stb8444.pdf

STB/P8444aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.40V 80A 4.8 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , AO3401 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 .
History: HRLD80N06K | VB9220 | BL10N80-W
History: HRLD80N06K | VB9220 | BL10N80-W



Liste
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MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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