STB8444 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB8444
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 162 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Encapsulados: TO263
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STB8444 datasheet
stb8444.pdf
STB/P8444 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 40V 80A 4.8 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package. D G STB SERIES STP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , P60NF06 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 .
History: SP8008 | LS4117 | STC2200
History: SP8008 | LS4117 | STC2200
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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