Справочник MOSFET. STB8444

 

STB8444 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB8444
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 162 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для STB8444

 

 

STB8444 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  samhop
 stb8444.pdf

STB8444 STB8444

STB/P8444aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.40V 80A 4.8 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top