STB8444 - описание и поиск аналогов

 

STB8444. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB8444

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 162 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для STB8444

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB8444 даташит

 ..1. Size:228K  samhop
 stb8444.pdf pdf_icon

STB8444

STB/P8444 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 40V 80A 4.8 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package. D G STB SERIES STP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , P60NF06 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 .

History: SMK0825FC | 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.