Справочник MOSFET. STB8444

 

STB8444 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB8444
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 162 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для STB8444

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB8444 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  samhop
 stb8444.pdf pdf_icon

STB8444

STB/P8444aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.40V 80A 4.8 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... STE336S , STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , AO3401 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 .

History: IRHN7054 | KMD6D0DN30QA | FCU600N65S3R0 | RU40191S | FQB10N50CFTM | NCE30P50G | SHDC224701

 

 
Back to Top

 


 
.