STB80L60 Todos los transistores

 

STB80L60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80L60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm

Encapsulados: TO263

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STB80L60 datasheet

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STB80L60

Green Product STB/P80L60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ High power and current handling capability. 60V 80A 8.0 @ VGS=10V TO-220 & TO-263 package. D G STP SERIES STB SERIES TO-220 TO-263(DD-P AK) S

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stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80L60

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 9.2. Size:399K  st
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STB80L60

 9.3. Size:579K  st
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STB80L60

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

Otros transistores... STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , STB8444 , 75N75 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 .

 

 

 


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