STB80L60 - описание и поиск аналогов

 

STB80L60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80L60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для STB80L60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80L60 даташит

 ..1. Size:176K  samhop
stb80l60 stp80l60.pdfpdf_icon

STB80L60

Green Product STB/P80L60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ High power and current handling capability. 60V 80A 8.0 @ VGS=10V TO-220 & TO-263 package. D G STP SERIES STB SERIES TO-220 TO-263(DD-P AK) S

 9.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STB80L60

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 9.2. Size:399K  st
stb80nf55l-06 stp80nf55l-06.pdfpdf_icon

STB80L60

 9.3. Size:579K  st
stb80nf10 stp80nf10.pdfpdf_icon

STB80L60

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

Другие MOSFET... STE334S , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , STB8444 , 75N75 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513

 

 

 

 

↑ Back to Top
.