SDT01N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDT01N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: SOT223
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SDT01N02 datasheet
sdt01n02.pdf
Green Product SDT01N02 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ R ugged and reliable. Surface Mount Package. 200V 1.5A 3.5 @ VGS=10V D G G S S SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter
Otros transistores... STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , IRFZ48N , SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 .
History: FDMC8010
History: FDMC8010
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Liste
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