Справочник MOSFET. SDT01N02

 

SDT01N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDT01N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SDT01N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  samhop
 sdt01n02.pdf pdf_icon

SDT01N02

GreenProductSDT01N02aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.Surface Mount Package.200V 1.5A 3.5 @ VGS=10VDGGSSSOT-223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter

Другие MOSFET... STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , RU6888R , SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.