SDT01N02 - описание и поиск аналогов

 

SDT01N02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDT01N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SDT01N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDT01N02 даташит

 ..1. Size:124K  samhop
 sdt01n02.pdf pdf_icon

SDT01N02

Green Product SDT01N02 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ R ugged and reliable. Surface Mount Package. 200V 1.5A 3.5 @ VGS=10V D G G S S SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter

Другие MOSFET... STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , IRFZ48N , SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 .

History: FDP150N10A | 2SK2083 | FDMS86500DC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.