SDK03N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDK03N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: SOT89
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SDK03N04 datasheet
sdk03n04.pdf
Green Product SDK03N04 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 400V 1.5A 3.5 @ VGS=10V SOT-89 Package. D D G S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Units
Otros transistores... STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , IRF830 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 .
History: IRFH5220
History: IRFH5220
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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