Справочник MOSFET. SDK03N04

 

SDK03N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDK03N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для SDK03N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDK03N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  samhop
 sdk03n04.pdf pdf_icon

SDK03N04

GreenProductSDK03N04aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.400V 1.5A 3.5 @ VGS=10V SOT-89 Package.DDGSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Units

Другие MOSFET... STB80L60 , SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , IRF1405 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 .

History: FDMS86250 | CS1N60C1HD | IRFS250B

 

 
Back to Top

 


 
.