SDF18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF18N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
SDF18N50 Datasheet (PDF)
sdf18n50 sdp18n50.pdf

SDP18N50SDF18N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.500V 18A 0.25 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Otros transistores... SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 , 60N06 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C .
History: APT8014JFLL
History: APT8014JFLL



Liste
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