Справочник MOSFET. SDF18N50

 

SDF18N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDF18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SDF18N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  samhop
 sdf18n50 sdp18n50.pdf pdf_icon

SDF18N50

SDP18N50SDF18N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.500V 18A 0.25 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

Другие MOSFET... SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 , 60N06 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C .

History: IRHLNM87Y20 | NCE0106R | MS12N60 | SST112 | ALD1101BPAL | NCEP01T13A | 2SK2436

 

 
Back to Top

 


 
.