SDF18N50 - описание и поиск аналогов

 

SDF18N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF18N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SDF18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF18N50 даташит

 ..1. Size:665K  samhop
 sdf18n50 sdp18n50.pdf pdf_icon

SDF18N50

SDP18N50 SDF18N50 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 500V 18A 0.25 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package M

Другие MOSFET... SP8009E , SP8009 , SP8008 , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 , IRLB3034 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C .

History: FDC8884 | FDMS8558S | IRFB4620 | FDMS8560S | FDMS3008SDC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.