FQA38N30 Todos los transistores

 

FQA38N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA38N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 430 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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FQA38N30 datasheet

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FQA38N30

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has bee

 ..2. Size:733K  onsemi
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FQA38N30

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has bee

Otros transistores... SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C , AO4407A , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 , FQT2P25 , FQU1N80 .

 

 

 


 
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