FQA38N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQA38N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 38.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 90 nC
   Tiempo de subida (tr): 430 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 670 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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FQA38N30 Datasheet (PDF)

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fqa38n30.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has bee

..2. Size:733K onsemi
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Liste

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