FQA38N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA38N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 38.4 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de la puerta (Qg): 90 nC

Tiempo de subida (tr): 430 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 670 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3P

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FQA38N30 Datasheet (PDF)

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April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has bee

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April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has bee

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