Справочник MOSFET. FQA38N30

 

FQA38N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA38N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для FQA38N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA38N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  fairchild semi
 fqa38n30.pdf pdf_icon

FQA38N30

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has bee

 ..2. Size:733K  onsemi
 fqa38n30.pdf pdf_icon

FQA38N30

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 38.4A, 300V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has bee

Другие MOSFET... SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C , AO3407 , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 , FQT2P25 , FQU1N80 .

History: C2M065W030 | R6047MNZ1 | WMM07N100C2 | NCE042N30K | HRLFS136N10P | WML15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.