FQI46N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQI46N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 85 nC
Tiempo de subida (tr): 320 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 520 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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FQI46N15 Datasheet (PDF)
fqb46n15 fqi46n15.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno
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Liste
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