Справочник MOSFET. FQI46N15

 

FQI46N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI46N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI46N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  fairchild semi
 fqb46n15 fqi46n15.pdf pdf_icon

FQI46N15

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK2796S | UPA2727T1A | AP9990GMT | JCS7N65FB | BUK9Y6R0-60E | IRL3103D1S | IPB160N04S2-03

 

 
Back to Top

 


 
.