FQI46N15 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FQI46N15  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 320 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FQI46N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI46N15 даташит

 ..1. Size:728K  fairchild semi
 fqb46n15 fqi46n15.pdf pdf_icon

FQI46N15

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB46N15 / FQI46N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced techno

Другие IGBT... SDF03N80, SDF02N65, SDF02N20, SDD07N65, FQA18N50V2, FQA19N20C, FQA38N30, FQB46N15, AON6426, FQP10N50CF, FDB86366F085, FCH077N65FF085, FCH190N65FF085, FQT2P25, FQU1N80, FDC645N, SI3457DV