SSU1N50B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSU1N50B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 26 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 520 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 1.3 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 8.3 nC

Tiempo de subida (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.3 Ohm

Paquete / Cubierta: TO251 IPAK

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SSU1N50B Datasheet (PDF)

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November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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