SSU1N50B Todos los transistores

 

SSU1N50B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSU1N50B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 520 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
 

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SSU1N50B datasheet

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SSU1N50B

April 2014 SSU1N50B 520V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

 7.1. Size:197K  1
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SSU1N50B

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SSU1N50B

November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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