SSU1N50B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSU1N50B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 26 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 520 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 40 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSU1N50B

SSU1N50B Datasheet (PDF)

..1. Size:688K fairchild semi
ssu1n50b.pdf

April 2014SSU1N50B520V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

7.1. Size:197K 1
ssu1n50a ssr1n50a.pdf

9.1. Size:196K 1
ssu1n60a ssr1n60a.pdf

9.2. Size:678K fairchild semi
ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

9.3. Size:104K samsung
ssr1n45 ssu1n45.pdf

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: