SSU1N50B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSU1N50B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 520 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm
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SSU1N50B datasheet
ssu1n50b.pdf
April 2014 SSU1N50B 520V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching
ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf
November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 , FQT2P25 , FQU1N80 , FDC645N , SI3457DV , IRF540 , FDP070AN06A0 , FQPF5N60C , FQP9N50C , FQPF9N50C , FDD6296 , FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F .
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MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
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