SSU1N50B - аналоги и даташиты транзистора

 

SSU1N50B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSU1N50B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 520 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
 

 Аналог (замена) для SSU1N50B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU1N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N50B

April 2014SSU1N50B520V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

 7.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N50B

 9.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N50B

 9.2. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSU1N50B

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 , FQT2P25 , FQU1N80 , FDC645N , SI3457DV , IRF540 , FDP070AN06A0 , FQPF5N60C , FQP9N50C , FQPF9N50C , FDD6296 , FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F .

 

 
Back to Top

 


 
.