SSU1N50B - описание и поиск аналогов

 

SSU1N50B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSU1N50B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 520 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для SSU1N50B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU1N50B даташит

 ..1. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N50B

April 2014 SSU1N50B 520V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

 7.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N50B

 9.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N50B

 9.2. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSU1N50B

November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 , FQT2P25 , FQU1N80 , FDC645N , SI3457DV , IRF540 , FDP070AN06A0 , FQPF5N60C , FQP9N50C , FQPF9N50C , FDD6296 , FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.