FDD6296 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD6296

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de la puerta (Qg): 22.5 nC

Tiempo de subida (tr): 6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0088 Ohm

Paquete / Cubierta: TO252

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FDD6296 Datasheet (PDF)

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June 2004FDD6296/FDU629630V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 50A, 30 V RDS(ON) = 8.8 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11.3 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for

 ..2. Size:309K  inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FDD6296FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8.8m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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