FDD6296 Todos los transistores

 

FDD6296 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD6296
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FDD6296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  fairchild semi
 fdd6296 fdd6296 fdu6296.pdf pdf_icon

FDD6296

June 2004FDD6296/FDU629630V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 50A, 30 V RDS(ON) = 8.8 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11.3 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for

 ..2. Size:309K  inchange semiconductor
 fdd6296.pdf pdf_icon

FDD6296

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD6296FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8.8m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... FQU1N80 , FDC645N , SI3457DV , SSU1N50B , FDP070AN06A0 , FQPF5N60C , FQP9N50C , FQPF9N50C , IRF1404 , FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F , HUF76645SF085 , FCPF20N60 , FDS8672S , FDB045AN08F085 , FQB10N50CFTM .

 

 
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