FDD6296 - описание и поиск аналогов

 

FDD6296. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD6296

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FDD6296

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD6296 даташит

 ..1. Size:105K  fairchild semi
 fdd6296 fdd6296 fdu6296.pdf pdf_icon

FDD6296

 ..2. Size:309K  inchange semiconductor
 fdd6296.pdf pdf_icon

FDD6296

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD6296 FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 8.8m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие MOSFET... FQU1N80 , FDC645N , SI3457DV , SSU1N50B , FDP070AN06A0 , FQPF5N60C , FQP9N50C , FQPF9N50C , IRF1404 , FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F , HUF76645SF085 , FCPF20N60 , FDS8672S , FDB045AN08F085 , FQB10N50CFTM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.