FDD6296 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDD6296 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDD6296
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FDD6296

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD6296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  fairchild semi
 fdd6296 fdd6296 fdu6296.pdf pdf_icon

FDD6296

June 2004FDD6296/FDU629630V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 50A, 30 V RDS(ON) = 8.8 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11.3 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for

 ..2. Size:309K  inchange semiconductor
 fdd6296.pdf pdf_icon

FDD6296

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD6296FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8.8m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FQU1N80 , FDC645N , SI3457DV , SSU1N50B , FDP070AN06A0 , FQPF5N60C , FQP9N50C , FQPF9N50C , IRF1404 , FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F , HUF76645SF085 , FCPF20N60 , FDS8672S , FDB045AN08F085 , FQB10N50CFTM .

History: NTHD3133PFT1G | SVS5N70DD2TR

 

 
Back to Top

 


 
.