FDZ661PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDZ661PZ
   Código: EH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDZ661PZ

FDZ661PZ Datasheet (PDF)

..1. Size:268K fairchild semi
fdz661pz.pdf

December 2011FDZ661PZP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 mFeatures General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ661PZ minimizes

..2. Size:1440K onsemi
fdz661pz.pdf

9.1. Size:255K fairchild semi
fdz663p.pdf

December 2011FDZ663PP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 mFeatures General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ663P minimizes bo

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Liste

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