FDZ661PZ Todos los transistores

 

FDZ661PZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ661PZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

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FDZ661PZ datasheet

 ..1. Size:268K  fairchild semi
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FDZ661PZ

December 2011 FDZ661PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 m Features General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ661PZ minimizes

 ..2. Size:1440K  onsemi
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FDZ661PZ

 9.1. Size:255K  fairchild semi
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FDZ661PZ

December 2011 FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 m Features General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ663P minimizes bo

Otros transistores... FDI045N10A , FDP045N10A , FDP150N10A , FDP020N06B , FDP027N08B , FDMA8884 , FDC8878 , FDC8884 , STP75NF75 , FDZ663P , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , FDU7N60NZTU .

 

 
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