FDZ661PZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ661PZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: WLCSP

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FDZ661PZ datasheet

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FDZ661PZ

December 2011 FDZ661PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 m Features General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ661PZ minimizes

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FDZ661PZ

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FDZ661PZ

December 2011 FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 m Features General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ663P minimizes bo

Otros transistores... FDI045N10A, FDP045N10A, FDP150N10A, FDP020N06B, FDP027N08B, FDMA8884, FDC8878, FDC8884, AON7408, FDZ663P, FDMC86320, FDD8424HF085A, FDMS86320, FDD5N60NZ, FDD7N60NZ, FDMS8020, FDU7N60NZTU