Справочник MOSFET. FDZ661PZ

 

FDZ661PZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ661PZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для FDZ661PZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ661PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fdz661pz.pdf pdf_icon

FDZ661PZ

December 2011FDZ661PZP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 mFeatures General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ661PZ minimizes

 ..2. Size:1440K  onsemi
 fdz661pz.pdf pdf_icon

FDZ661PZ

 9.1. Size:255K  fairchild semi
 fdz663p.pdf pdf_icon

FDZ661PZ

December 2011FDZ663PP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 mFeatures General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ663P minimizes bo

Другие MOSFET... FDI045N10A , FDP045N10A , FDP150N10A , FDP020N06B , FDP027N08B , FDMA8884 , FDC8878 , FDC8884 , 12N60 , FDZ663P , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , FDU7N60NZTU .

History: IPP47N10S-33 | IPD60R3K4CE | MS8N60 | KI5P04DS | MCAC30N06Y-TP | AP3P050M | NCEP3065BQU

 

 
Back to Top

 


 
.