FDZ661PZ - описание и поиск аналогов

 

FDZ661PZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ661PZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: WLCSP

Аналог (замена) для FDZ661PZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ661PZ даташит

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fdz661pz.pdf pdf_icon

FDZ661PZ

December 2011 FDZ661PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 m Features General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ661PZ minimizes

 ..2. Size:1440K  onsemi
 fdz661pz.pdf pdf_icon

FDZ661PZ

 9.1. Size:255K  fairchild semi
 fdz663p.pdf pdf_icon

FDZ661PZ

December 2011 FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 m Features General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ663P minimizes bo

Другие MOSFET... FDI045N10A , FDP045N10A , FDP150N10A , FDP020N06B , FDP027N08B , FDMA8884 , FDC8878 , FDC8884 , STP75NF75 , FDZ663P , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , FDU7N60NZTU .

History: FCP190N60E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.