Справочник MOSFET. FDZ661PZ

 

FDZ661PZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDZ661PZ
   Маркировка: EH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP

 Аналог (замена) для FDZ661PZ

 

 

FDZ661PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fdz661pz.pdf

FDZ661PZ FDZ661PZ

December 2011FDZ661PZP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 mFeatures General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ661PZ minimizes

 ..2. Size:1440K  onsemi
 fdz661pz.pdf

FDZ661PZ FDZ661PZ

 9.1. Size:255K  fairchild semi
 fdz663p.pdf

FDZ661PZ FDZ661PZ

December 2011FDZ663PP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 mFeatures General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ663P minimizes bo

Другие MOSFET... FDI045N10A , FDP045N10A , FDP150N10A , FDP020N06B , FDP027N08B , FDMA8884 , FDC8878 , FDC8884 , IRLB4132 , FDZ663P , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , FDU7N60NZTU .

 

 

Back to Top