FDU7N60NZTU Todos los transistores

 

FDU7N60NZTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDU7N60NZTU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
 

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FDU7N60NZTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fdd7n60nz fdd7n60nztm fdu7n60nztu.pdf pdf_icon

FDU7N60NZTU

November 2013FDD7N60NZ / FDU7N60NZTUN-Channel UniFETTM II MOSFET600 V, 5.5 A, 1.25 Features Description RDS(on) = 1.05 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 13 nC)technology. This advanced MOSFET family has the smallest on- Low Crs

 9.1. Size:346K  fairchild semi
 fdd7n20 fdu7n20.pdf pdf_icon

FDU7N60NZTU

April 2007UniFETTMFDD7N20 / FDU7N20tmN-Channel MOSFET 200V, 5A, 0.69Features Description RDS(on) = 0.58 ( Typ. ) @ VGS = 10V, ID = 2.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge( Typ. 5nC )stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF ) This advanced technology has bee

Otros transistores... FDZ661PZ , FDZ663P , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , 2SK3568 , FCPF190N60 , FDPF4N60NZ , FDMC86116LZ , FDB024N08BL7 , FDMS86250 , FDMS86540 , FDMS3626S , FDMC8010 .

History: IRF7483MTRPBF | WMM10N60C4 | KIA65R420

 

 
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