FDU7N60NZTU - описание и поиск аналогов

 

FDU7N60NZTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU7N60NZTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для FDU7N60NZTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU7N60NZTU даташит

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fdd7n60nz fdd7n60nztm fdu7n60nztu.pdf pdf_icon

FDU7N60NZTU

November 2013 FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 5.5 A, 1.25 Features Description RDS(on) = 1.05 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 13 nC) technology. This advanced MOSFET family has the smallest on- Low Crs

 9.1. Size:346K  fairchild semi
 fdd7n20 fdu7n20.pdf pdf_icon

FDU7N60NZTU

April 2007 UniFETTM FDD7N20 / FDU7N20 tm N-Channel MOSFET 200V, 5A, 0.69 Features Description RDS(on) = 0.58 ( Typ. ) @ VGS = 10V, ID = 2.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge( Typ. 5nC ) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF ) This advanced technology has bee

Другие MOSFET... FDZ661PZ , FDZ663P , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , 4435 , FCPF190N60 , FDPF4N60NZ , FDMC86116LZ , FDB024N08BL7 , FDMS86250 , FDMS86540 , FDMS3626S , FDMC8010 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.